存儲器是信息系統的基礎核心芯片,最能代表集成電路產業規模經濟效益和先進制造工藝,同時也是我國進口金額最大的集成電路產品。當前,雖然我國缺乏大規模存儲芯片生產廠家,但全球集成電路產業增長放緩,為我國實現趕超、縮小差距提供了難得機遇。未來,隨著武漢光谷國家存儲器基地逐步建成,我國存儲器產業的發展也將再上新臺階——

2016年年底,總投資240億美元的國家存儲器基地項目在武漢光谷開工。該項目位于武漢東湖高新區未來科技城,將建設3座3D NAND Flash FAB廠房。項目一期計劃2018年建成投產;2020年完成整個項目,總產能將達到30萬片/月,年產值將超過100億美元。《經濟日報》記者了解到,目前一期建設的80億美元資金已全部到位。

紫光集團董事長兼長江存儲董事長趙偉國接受記者采訪時說,國家存儲器基地動工建設,標志著中國存儲芯片產業規模化發展“零”的突破,這是“國家戰略推動、地方大力支持、企業市場化運作”新模式的成功探索。未來,這里將建起“航母級芯片工廠”。

中國玩家來了

據介紹,國家存儲器基地項目由紫光集團聯合國家集成電路產業基金、湖北省地方基金、湖北省科投共同投資建設,總占地面積1968畝。以芯片制造環節為突破口,集存儲器產品設計、技術研發、晶圓生產與測試、銷售于一體,建成后還將帶動設計、封裝、制造、應用等芯片產業相關環節發展。

存儲器是信息系統的基礎核心芯片,最能代表集成電路產業規模經濟效益和先進制造工藝,同時也是我國進口金額最大的集成電路產品。隨著大數據、云計算產業發展,存儲芯片在整個芯片市場占比超過25%,未來5年內將達到45%左右。賽迪智庫半導體所所長霍雨濤認為,當前全球集成電路產業增長放緩,為我國實現趕超、縮小差距提供了難得機遇。

“此前,我國沒有大規模存儲芯片生產廠家。”趙偉國介紹,由于技術難度高、投資總量大,目前全球僅有三星、東芝、美光、海力士四大“玩家”能生產主流存儲器。要贏得存儲芯片制造的競爭,就必須建起“航母級”芯片工廠。“核心生產廠房和設備每平方米投資強度超過3萬美元,相當于每平方米面積的核心廠房,都是用300張一百美元面值的鈔票堆出來的”。趙偉國如此形容項目投資金額之巨大。

追“芯”10年路

長江存儲的起點不低,投產后將生產3D NAND閃存。這種將過去平面閃存作立體堆疊的三維閃存,存儲芯片相當于實現了從“平房”到“樓房”的跨越。目前,三星的V-NAND閃存,堆棧層數從24層提高到48層。

長江存儲能否趕上國際巨頭?趙偉國信心十足。他說,長江存儲是在武漢新芯的基礎上建立的。兩年前,武漢新芯就開始對3D NAND閃存展開研發,這個領域正是中國存儲芯片制造業彎道超車的機會。

2006年,湖北省、武漢市和東湖高新區投資107億元建設了武漢新芯12英寸晶圓制造項目,投資額占當年湖北省國有經濟投資總額的近十分之一。經過10多年積累,以武漢新芯為龍頭,集聚了芯片設計、制造、封裝材料等相關企業近50家,包括武漢高德紅外、海思光電子、烽火通信、中船(武漢)微電子等企業,總產值達到50億元。

“追‘芯’10年,武漢成為國家重點支持的集成電路四大產業集聚區之一。”武漢東湖開發區管委會一位負責人說。

日前公布的《促進中部地區崛起“十三五”規劃》明確指出“支持武漢、合肥建設存儲器產業基地”。目前,湖北省和武漢市舉全省、全市之力,將這一項目打造成轉型跨越發展的千億高科技產業項目。武漢東湖高新區加快引進芯片設計、封裝測試等環節的重點企業,積極打造集成電路產業生態體系,并組建武漢國際微電子學院、集成電路工業研究院、國家IP交易中心,努力打造世界級的集成電路產業創新中心。

后發有優勢

華中科技大學超大規模集成電路與系統研究中心主任鄒雪城說,中國集成電路產業布局如同一只向東飛行的展翅大雁:雁頭是上海、長三角地區,左翼向北,通過環渤海,向西安,右翼向南,通過福州、廈門到深圳;武漢,處在大雁身體的正中。

“中國產業發展具有后發優勢。”趙偉國拿紫光集團旗下的展訊通信舉例說,十幾年前,中國沒有設計、生產手機芯片的能力,但現在展訊已排名全球第三,前兩位是國際巨頭高通和聯發科。

清華大學微電子學研究所所長魏少軍表示,存儲器產業講求規模,長江存儲的建立對于做大做強中國存儲器產業開了一個好頭,有效解決了國家存儲器產業發展存在的隱患;在長江存儲啟動投資后3年左右時間,“將是投資人和管理團隊最困難的時候”。只有邁過這個坎,長江存儲才能成為中國存儲器產業領軍企業。

趙偉國對中國存儲器產業前景十分看好,他的信心來自三個方面:首先是中國龐大的本土市場;其次是本土人才;第三是資本。“武漢有產業基礎,經濟實力雄厚,政府對集成電路產業的理解也非常深刻。”他認為,中國在一些領域已經基本具備了邁入國際前列的能力。根據存儲器基地建設進度,產能將進入世界前五乃至前二,與韓國三星旗鼓相當,趕超時間預計為5年至15年。